特許
J-GLOBAL ID：200903067118671956

半導体装置及びその製造方法

発明者：
酒井 士郎

酒井 士郎 について


出願人/特許権者：
酒井 士郎

酒井 士郎 について

, 
ナイトライド・セミコンダクター株式会社

ナイトライド・セミコンダクター株式会社 について


代理人 (2件)： 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-343422
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179369
出願日： 2002年11月27日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】窒化物系LEDデバイスにおいて、短波長化を図るとともに上部電極をn型電極とする。【解決手段】LEDデバイスは、基板10上に順次n型窒化物系半導体層12、14、発光層16、p型窒化物系半導体層18を積層して構成される。p型窒化物系半導体層18表面に金属材料等からなる低抵抗領域24を形成し、その上にn型窒化物系半導体層26を形成する。電極20はn型窒化物系半導体層26上に形成する。n型窒化物系半導体層26上に電極20を形成することでオーミックコンタクトを確保し、低抵抗領域24を介在させることでpn接合をショートさせ、動作電圧の上昇を抑制する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
p型半導体とn型半導体を接合してなる半導体装置であって、 前記p型半導体とn型半導体の界面に、前記p型半導体及びn型半導体よりも抵抗値の小さい低抵抗領域を離散的に形成することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L33/00 ,  C23C14/06 ,  C23C16/18
FI (4件)：
H01L33/00 C ,  C23C14/06 N ,  C23C14/06 P ,  C23C16/18
Fターム (25件)：
4K029BA02 ,  4K029BA32 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BD00 ,  4K029BD01 ,  4K029BD02 ,  4K030AA11 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030LA11 ,  4K030LA12 ,  5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA41 ,  5F041CA02 ,  5F041CA08 ,  5F041CA10 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA77 ,  5F041CA83 ,  5F041CB02
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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