半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-037054
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252276
出願日： 1993年02月25日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】基板とAL配線間をPoly-SiやW等の埋め込みコンタクトによって接続している半導体装置において、コンタクト部分の段差を緩和しまたばらつきを抑えることにより、AL配線の被覆性を確保し、配線の断線やボイドがなく、かつ低抵抗の接続を行なう信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。【構成】ポリシリコン等による配線層を形成後した半導体基板にBPSG膜13を形成する。電気炉中窒素雰囲気で850°C程度の熱処理を加え、BPSGを軟化する。コンタクトホール14を開孔した後、Poly-Si、タングステン等の導電層をCVD法によりデポジションする。コンタクト部以外の導電層をエッチバックし、埋め込みコンタクト15を形成する。電気炉中窒素または、水素を含むアルゴン雰囲気でガラス転移点以上の熱処理を加えBPSG膜を軟化することによってコンタクト部の段差を緩和する。

請求項（抜粋）：

配線間の絶縁膜としてB(ホウ素)またはP(燐)等の不純物をドーピングしたCVD法による絶縁膜を用い、上部配線との接続を埋め込み層によって形成する半導体装置において、該埋め込み層の形成をa)導電層を形成する工程と、b)絶縁膜上部の該導電層を除去する工程と、c)ガラス転移点以上の熱処理を加えることにより、接続孔の段差を緩和する工程からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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