特許
J-GLOBAL ID：200903067120893290
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-222823
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062836
出願日： 1991年09月03日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 インダクタ線路の幅をそのままにして低抵抗のスパイラル・インダクタを得る。【構成】 長方形または正方形または円形の凹部2を半導体基板1の一主面上に所要深さに形成し、この凹部2内にインダクタ線路3を形成することにより、厚みの厚いインダクタ線路3を形成できるようにしたことを特徴としている。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に所要深さの長方形または正方形または円形の凹部を形成し、この凹部内にスパイラル状のインダクタ線路を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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