特許

J-GLOBAL ID：200903067122419595

方位センサ

発明者： 瀬口 修次 ,  松尾 和芳 ,  新越 正雄 ,  尾中 和弘 ,  鮫島 正憲
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-056524
公開番号（公開出願番号）：特開2002-228447
出願日： 2001年03月01日
公開日（公表日）： 2002年08月14日
要約：

【要約】【課題】 形状的にも小型で、かつ安価な方位センサを提供することを目的とする。【解決手段】 絶縁基板11の片面側に、バイアス磁界発生用の第1の導体14と、バイアス磁界発生用の第2の導体16と、磁気抵抗パターンからなる磁気抵抗素子18と、前記第1の導体14に接続されるバイアス磁界発生用の第3の導体20と、前記第2の導体16に接続されるバイアス磁界発生用の第4の導体22を第2、第3、第4、第5の絶縁層15,17,19,21を介して順次積層する形で形成したものである。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、この絶縁基板の片面側に設けたバイアス磁界発生用の第1の導体と、この第1の導体の一部を覆うように設けた第2の絶縁層と、この第2の絶縁層の上に位置して前記第1の導体と直交する方向に設けたバイアス磁界発生用の第2の導体と、この第2の導体の一部を覆うように設けた第3の絶縁層と、この第3の絶縁層の上に設けた磁気抵抗パターンからなる磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子を覆うように設けた第4の絶縁層と、この第4の絶縁層の上に設けられ、かつ前記第1の導体に接続されるバイアス磁界発生用の第3の導体と、この第3の導体を覆うように設けた第5の絶縁層と、この第5の絶縁層の上に設けられ、かつ前記第2の導体に接続されるバイアス磁界発生用の第4の導体とを備えた方位センサ。

IPC (3件)：

G01C 17/30 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G01C 17/30 A ,  H01L 43/08 B ,  H01L 43/08 U ,  G01R 33/06 R

Fターム (5件)：

2G017AA16 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  2G017BA09