特許
J-GLOBAL ID：200903067127510957
気相成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020915
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217912
出願日： 1992年02月06日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 大面積均一成膜を再現性よく達成できるような信頼性の高い装置を得る。【構成】 ウェハ押え1にウェハ2を支持し、ウェハ2の裏面側から赤外ランプ3からの光をランプ光透過窓4を通してウェハ2を加熱し、内壁を放射率の高い物質で表面処理した反応ガス供給ノズル9から反応ガス5を多孔ノズルヘッド6を通してウェハ2の全面に吹き付けて、ウェハ2に成膜するとともに、ウェハ2の表面から放射された0.9μm近傍の波長を多孔ノズルヘッド6が透過して、放射温度計11に到達させ、反応ガス供給ノズル9の内面の物質により、0.9μm光を反射面とならないように、ガス供給ノズル9を水冷し、ウェハ2の表面温度の正確な測定を可能とする。【効果】 ウェハ表面に均一な成膜ができ、装置の信頼性を高め、半導体デバイスの高歩留り化を実現できる。
請求項（抜粋）：
被処理物を載置し、この被処理物を反応温度にまで加熱する手段を備え、これを包含する反応チャンバと、上記被処理物に流通させる反応ガスを被処理物表面に向かって流すために設けられた石英ガラス製の多孔ノズルヘッドと、この多孔ノズルヘッドを冷却し、かつ支持し、上記反応ガスを上記被処理物に向けて流す前にこれを蓄えておくための内壁を放射率の高い物質で表面処理した反応ガス供給ノズルと、上記多孔ノズルヘッドを介し所定の波長を測定して上記被処理物表面の温度を計測するための放射温度計とを備えた気相成長装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/46
, C30B 25/10
, C30B 25/14
