特許

J-GLOBAL ID：200903067132965245

磁気抵抗センサ

発明者： サン・リン ,  ジェームス・ケント・ホワード ,  チェルニ・フワン ,  ダニエレ・モーリ ,  ノルバート・スタウド
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-151867
公開番号（公開出願番号）：特開平6-076247
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【構成】 本発明の原理によるMR読取りセンサは、強磁性体MR層35に直接接して設けられた反強磁性体層39からなり、この反強磁性体層はNiとMnの合金であり、この合金の少なくとも一部は面心正方晶(fct)構造を有する。fct構造のNi-Mn反強磁性体層は、Fe-Mn合金による反強磁性体層を用いた従来のMRセンサと比較して極めて良好な交換結合特性を呈し、広い温度範囲に渡って熱安定性を示す。さらにこのNi-Mn合金に11%までのCrを添加することによってNi-Mn-Crの3相合金膜を生じる。この3相合金膜はNi-Fe膜及びCo-Cr-Pt膜と比較して、極めて耐食性に優れており、しかもその膜の交換結合特性に対して悪影響を及ぼさない。【効果】 大きな長所としては、作製の際に必要な熱処理温度が低いことである。それによって相互拡散を最小限にし、低温での作製プロセスが可能になる。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗特性を呈す強磁性体層と該強磁性体に直接接する反強磁性体層とを有する磁気抵抗読取りセンサにおいて、該反強磁性体層が該強磁性体層中に縦バイアス磁場を生じ、かつ少なくとも一部に面心正方晶(fct)構造を有するマンガン(Mn)合金からなることを特徴とする、上記磁気抵抗読取りセンサ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-144909
  
• 磁気抵抗効果型磁気ヘツドおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-224346   出願人：株式会社日立製作所