特許

J-GLOBAL ID：200903067149843186

磁気ヘッド

発明者： 野口 潔 ,  大池 太郎 ,  太田 学 ,  佐野 正志
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 阿部 美次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-158780
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353307
出願日： 1996年12月10日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】高いMR変化率を、再現性よく得ることができる強磁性トンネル接合型磁気ヘッドを提供する。【解決手段】第1の磁気シールド膜51及び第2の磁気シールド膜52は、スライダ1上に、互いに絶縁間隔24、25を隔てて配置されている。磁気変換素子は、強磁性トンネル接合部21を含む。強磁性トンネル接合部21は、第1の強磁性膜211と第2の強磁性膜212とが絶縁膜210を介して積層され、第1の磁気シールド膜51及び第2の磁気シールド膜52の間に配置されている。強磁性トンネル接合部21の絶縁膜210によるバリアポテンシャルが0.5〜3eVの範囲にある。

請求項（抜粋）：

スライダと、第1の磁気シールド膜と、第2の磁気シールド膜と、少なくとも一つの磁気変換素子とを含む磁気ヘッドであって、前記第1の磁気シールド膜及び第2の磁気シールド膜は、前記スライダ上に、互いに絶縁間隔を隔てて配置されており、前記磁気変換素子は、強磁性トンネル接合部を含んでおり、前記強磁性トンネル接合部は、絶縁膜と、第1の強磁性膜と、第2の強磁性膜とを含み、前記第1の強磁性膜と前記第2の強磁性膜とが前記絶縁膜を介して積層され、前記第1の磁気シールド膜及び前記第2の磁気シールド膜の間に配置されており、前記強磁性トンネル接合部の前記絶縁膜によるバリアポテンシャルが0.5〜3eVの範囲にある。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特許第3055662号
  
• 特許第3055662号
  
• 特許第3055662号