特許
J-GLOBAL ID：200903067150774597
CVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-300521
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162415
出願日： 1994年12月05日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】半導体製造プロセスにおける熱CVD装置において、放射温度計を用いて制度良くウエハの温度を測定しこれに基づいてヒータ発熱量を制御し、ウエハ温度を均一にする。【構成】ウエハの裏面から放出される熱放射を反応室外に取り出す光学手段を有し、この光学手段を設置する領域とウエハを設置する領域を仕切り、光学手段を設置した領域内に不活性ガスを供給する。この放射温度測定機能を備えたCVD反応室において、一定枚数のウエハに成膜した後、温度測定用のウエハをCVD反応室内に導入し、その温度を測定した結果に基づいてウエハ面内の温度分布が所定の範囲に入るように、ヒータ発熱量あるいはヒータ設定温度を変更する。
請求項（抜粋）：
加熱炉内部に反応管を収納し、前記反応管内に半導体のウエハを収納して加熱し、前記反応管内を排気しながらガスを供給して前記ウエハの表面に薄膜を形成するCVD装置において、前記ウエハを支持し、前記反応管を複数の領域に分割する仕切板と、前記仕切板により分割された少なくとも一つの領域に設置され、前記ウエハの裏面から放出される熱放射を放射温度計に導くための光学手段と、前記光学手段が設置された領域に不活性ガスを供給するガス供給手段と、前記ウエハが設置された領域に成膜のための原料ガスを供給するガス供給手段と、前記反応管外に設置された放射温度計とを備え、前記ウエハの裏面から放射された熱放射の強度から前記ウエハの温度を測定し、測定結果に基づいてヒータの発熱量あるいは設定温度を制御あるいは変更することを特徴とするCVD装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, C23C 16/46
