特許
J-GLOBAL ID:200903067155265526

平面トランス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 石田 長七 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-122354
公開番号(公開出願番号):特開平5-326268
出願日: 1992年05月15日
公開日(公表日): 1993年12月10日
要約:
【要約】【目的】コイルパターンのインダクタンスを大きくする。【構成】夫々磁気的に結合するコイルパターン2が両面に形成された絶縁性の基板1を磁性体で両面から挟んで形成される。上記磁性体の導体パターンに接触する部分は高抵抗率の磁性材であるNi-Zn系のフェライト(磁性体5)で形成する。その他の部分は低抵抗率の磁性材であるMn-Zn系のフェライト(磁性体3)で形成する。磁性体のコイルパターン2に接触する部分を高抵抗率の磁性材として、磁性体が導電パターンに接触しても、導電パターンのインダクタンスのQが低下することがない。しかも、磁性体がコイルパターン2に近付くので、磁性体が磁化されやすくなり、導体パターンのインダクタンスが大きくなる。
請求項(抜粋):
夫々磁気的に結合する導体パターンが両面に形成された絶縁性の基板を磁性体で両面から挟んで形成され、上記磁性体の導体パターンに接触する部分は高抵抗率の磁性材で形成し、その他の部分を低抵抗率の磁性材で形成して成ることを特徴とする平面トランス。

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