特許
J-GLOBAL ID：200903067158823872
半導体流体センサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥井 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-307490
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120525
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：
【要約】[目的] 半導体基板上に絶縁膜を形成し、その絶縁膜上に感熱抵抗体としての金属抵抗層を形成したうえで、その金属抵抗層を所定のパターンにエッチングしてヒートワイヤを形成するようにした半導体流体センサにあって、絶縁膜とその上に薄膜形成された金属抵抗層をパターンエッチングして得られるヒートワイヤとの間の残留応力の影響を有効に軽減し、ヒートワイヤの熱に対する抵抗値の特性の経時的な安定化を図るようにしている。[構成] 半導体基板上に絶縁膜を介して形成された金属抵抗層をパターンエッチングして得られたヒートワイヤの下方部分における半導体基板をエッチングにより除去してヒートワイヤブリッジを形成したうえで、その後に、センサ動作時よりも高い温度によって熱処理を施すようにする。
請求項（抜粋）：
流体の通路に流体の変化状態を検出するためのヒートワイヤブリッジを形成した半導体基板を用いたマイクロマシニング加工によって形成される半導体流体センサにあって、半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、その絶縁膜上に感熱抵抗体としての金属抵抗層を形成する工程と、その金属抵抗層を所定のパターンにエッチングしてヒートワイヤを形成する工程と、その形成されたヒートワイヤの下方部分における半導体基板をエッチングにより除去してヒートワイヤブリッジを形成する工程と、そのヒートワイヤブリッジの形成後に、センサ動作時よりも高い温度によって熱処理を施す工程とをとるようにした半導体流体センサの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01F 1/68
, G01P 5/12
