特許

J-GLOBAL ID：200903067160229244

半導体装置の製造方法

発明者： 豊丸 陽子 ,  宮下 守也
出願人/特許権者： 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-126328
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321443
出願日： 1995年05月25日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】 微細構造を有した半導体デバイスに好適な半導体ウェーハを準備することにより、高性能半導体装置を製造する。【構成】 半導体ウェーハのミスオリエンテーションアングルを所定の角度以内に制御し、このミスオリエンテーションアングルの制御された半導体ウェーハを用いてH2 アニール、もしくはArアニールを行なうことにより半導体ウェーハの表面平坦度を改善する。そして、この表面平坦度の改善により、この半導体ウェーハを用いたMOSデバイスの極薄酸化膜の耐圧向上、あるいは各種集積回路等の製造歩留りの向上を得る。

請求項（抜粋）：

(100)面からの傾斜角度α(以下ミスオリエンテーションアングルαと呼ぶ)を0.1°以下に設定した半導体ウェーハを半導体デバイスの基板に使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。