特許
J-GLOBAL ID：200903067168040108
ドライエツチング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-269488
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109670
出願日： 1991年10月17日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】 短時間に半導体酸化膜を生成して超微細加工が可能なドライエッチング方法を提供する。【構成】 GaAs基板11上に1μm厚のGaAs成長層12を結晶成長し、GaAs成長層12表面に電子サイクロトロン共鳴(ECR)により生成した酸素プラズマ14を2分間照射し、GaAs表面を酸化する。次に加速電圧3kVの電子ビーム15を表面のGaAs酸化膜13に部分的に照射する。次に基板温度100°Cに加熱し、5×10-5Torrの塩素ガス16中で30分間ガスエッチングを行なう。この結果、電子ビーム15を照射したGaAs酸化膜13の表面だけがガスエッチングされ、さらにその部分のGaAs結晶も深さ60nmが引続きガスエッチングされた。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体の表面酸化膜に電子ビームを照射し、電子ビームを照射した部分の前記化合物半導体結晶のエッチングを行なうドライエッチング方法であって、前記化合物半導体の表面酸化膜は、酸素(O2)ラジカルを用いて形成するものであることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, G01N 24/14
, G01R 33/64
