特許
J-GLOBAL ID：200903067179712930
酸化膜の形成方法および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-021184
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223888
出願日： 1997年02月04日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 シリコン基板とシリコン酸化膜と界面を平滑化し、トランジスタの応答速度を向上させる。【解決手段】 シリコン基板10を加熱し、水素と酸素との混合ガス雰囲気中で酸化することにより、パイロ酸化膜11を形成する。次に、酸素雰囲気中で短時間の急速加熱によるドライ酸化しドライ酸化膜14を形成する。ドライ酸化後、再びパイロ酸化することにより、パイロ酸化膜17を形成する。その上に、ゲート電極19を形成する。パイロ酸化膜17を形成することにより、ドライ酸化膜14とシリコン基板10との間に発生した凹凸を緩和することができ、パイロ酸化膜17とシリコン基板10との界面18を平滑にすることができる。これにより、走行キャリアの界面散乱を抑制することができるので、トランジスタの高速化を実現することができる。
請求項（抜粋）：
シリコン結晶表面に形成された第1のシリコン酸化膜に、パイロ酸化を行うことにより、前記第1のシリコン酸化膜と前記シリコン結晶との間に第2のシリコン酸化膜を形成することを特徴とする酸化膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/316 S
