特許

J-GLOBAL ID：200903067180979290

半導体装置およびその製造方法

発明者： 水津 康正
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-150929
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049159
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
要約：

【要約】【課題】固定電荷密度の増加を招くことなく、薄いゲート絶縁膜を形成すること。【解決手段】シリコン基板1上に薄いSi02膜2、非晶質シリコン薄膜3aを順次形成し、次に窒化種としてNOを含む雰囲気中での熱処理により、SiO2膜2との界面の非晶質シリコン薄膜3aをシリコン供給源としてSi02膜2と非晶質シリコン薄膜3aとの界面にオキシナイトライド膜4Aを形成することにより,ゲート絶縁膜として窒素を含むSiON膜4を形成する。その後、上記熱処理の際に非晶質シリコン薄膜3aの表面に形成された不要なSiON膜4’を除去する。

請求項（抜粋）：

窒素、シリコンおよび酸素を含む絶縁物と、この絶縁物上に形成されたシリコン膜とを具備してなり、前記シリコン膜との界面における前記絶縁物の窒素の面密度が1xl013(個/cm2)以上、かつ前記シリコン膜と反対側の前記絶縁物の表面における窒素濃度が前記シリコン膜との界面における前記絶縁物の窒素濃度の1/10以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 21/283 C ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371