薄膜半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木晴敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-174206
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008316
出願日： 1995年06月16日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】レーザアニールの雰囲気を改善してレーザアニール装置のコストダウン、レーザ光学系の長寿命化、及び絶縁基板上への異物付着防止を図る。【構成】薄膜半導体装置は絶縁基板2に半導体薄膜を形成する成膜工程と、この半導体薄膜を活性層として薄膜トランジスタを集積形成する加工工程を経て製造される。この際、加工工程の前後又は中間で半導体薄膜にレーザ光3を照射して加熱処理を行なう。この照射工程は不活性気体を主成分とする雰囲気下でレーザ光3を照射する事を特徴とする。例えば、大気圧以上の圧力で窒素ガス等の不活性気体が満たされたチャンバ1-1に絶縁基板2を投入してレーザ光3を外部から照射する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板に半導体薄膜を形成する成膜工程と、該半導体薄膜を活性層として薄膜トランジスタを集積形成する加工工程と、該加工工程の前後又は中間で該半導体薄膜にレーザ光を照射して加熱処理を行なう照射工程とを含む薄膜半導体装置の製造方法であって、前記照射工程は、不活性気体を主成分とする雰囲気下でレーザ光を照射する事を特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G , H01L 21/20 , H01L 21/268 Z , H01L 27/12 R

引用特許：

審査官引用 (20件)

特開平4-286318
特開平3-060015
特開平3-190121

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