特許

J-GLOBAL ID：200903067184641308

RI合成装置

発明者： 佐々木 基仁 ,  岩田 錬
出願人/特許権者： 住友重機械工業株式会社
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-194610
公開番号（公開出願番号）：特開2006-017548
出願日： 2004年06月30日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：

【課題】 RI/RI化合物の外部漏洩の可能性が減らされ、信頼性が十分に向上されたRI合成装置を提供することを課題とする。【解決手段】 電磁弁設置部の電磁弁設置面18と電磁弁V5,V6の設置面12とを密着させ、電磁弁V5,V6の流入口、流出口と電磁弁設置面部の接続口P25,P27とを連通させると共に、台座6内部に分岐点を有する孔経路L8〜L10を形成し、配管継手を不要とし、螺合部を無くすと共に接続部自体も減らすことで、RI/RI化合物の外部漏洩の可能性を減らす。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

放射性同位元素、試薬が導入され、放射性同位元素標識化合物を得るRI合成装置であって、 電磁弁を密着して設置する設置面が設けられた電磁弁設置部を有する台座を具備し、 前記台座は、内部に形成された所定の孔経路と、 外面に前記孔経路に連通する接続口と、を有し、 前記電磁弁の設置面と前記電磁弁設置部の設置面とを密着させることにより、前記接続口と前記電磁弁の出入口部とが連通されることを特徴とするRI合成装置。

IPC (1件)：

G21H 5/02

FI (1件)：

G21H5/02 C

Fターム (7件)：

2G088EE01 ,  2G088EE02 ,  2G088FF04 ,  2G088FF07 ,  2G088JJ35 ,  2G088JJ36 ,  2G088JJ37

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 実開平6-22678号公報