特許

J-GLOBAL ID：200903067185624822

スパッタリング装置のマグネトロンユニット

発明者： 神保 毅
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-309029
公開番号（公開出願番号）：特開平9-143713
出願日： 1995年11月28日
公開日（公表日）： 1997年06月03日
要約：

【要約】【課題】 磁界の強度および形を自由に変化させ、経時変化時のエロージョン形成による悪影響を抑制して、均一な膜厚および膜質の薄膜を形成する。【解決手段】スパッタリング装置のターゲット13の裏面側に位置して軸周りに回転し、ブラケット22のターゲット13側に環状の磁石26a、26bを径方向に多重配置したマグネトロンユニット20である。ブラケット22は分割構成され、内側の磁石26aを保持するブラケット22aと外側の磁石26bを保持するブラケット22bとは、それぞれ独立して軸方向に移動可能となっている。磁石26a、26bの下端面とターゲット13との間の距離を、内側と外側とで変えることで、磁界の強度や形を自由に変えることができる。

請求項（抜粋）：

スパッタリング装置のターゲットの裏面側に位置して軸周りに回転し、ブラケットのターゲット側に環状の磁石を径方向に多重配置したスパッタリング装置のマグネトロンユニットであって、前記ブラケットを径方向に分割構成するとともに、内側の磁石を保持するブラケットと外側の磁石を保持するブラケットとをそれぞれ独立して軸方向に移動可能とし、前記内側の磁石を保持するブラケットと前記外側の磁石を保持するブラケットとを一体に回転可能としたことを特徴とするスパッタリング装置のマグネトロンユニット。

IPC (3件)：

C23C 14/35 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 14/35 B ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-028867