特許
J-GLOBAL ID：200903067185676938
半導体膜形成方法及び半導体膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-179640
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037823
出願日： 1993年07月21日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 Si/Six Ge1-x ヘテロ接合をCVD法で形成する場合に接合界面におけるGe濃度プロファイルを急峻にする。【構成】 洗浄及び酸化膜除去を行なったSi基板96上にSi層98を積層する。そしてSix Ge1-x 形成用原料ガスをSiH4 及びGeH4 とし、Si形成用原料ガスをSiH4 ガスとして、CVD法により、Six Ge1-x 層100及びSi層102を順次に、Si層98上に積層する。この際、Si層102積層時に原料ガスの供給路を介して原料ガスと共にGeプロファイル調整用H2 ガスを結晶成長面上に供給する。原料ガス供給路中、成膜面上さらには反応容器内においてGeH4 ガスが残存していても、このH2 ガスの供給によりGe分圧を速やかに低減できるので、目的を達成できる。
請求項（抜粋）：
シリコンゲルマニウム形成時にはシリコンを含むガス及びゲルマニウムを含むガスを原料ガスとすると共にシリコン形成時にはシリコンを含むガスを原料ガスとして反応容器内部の下地上に原料ガスを供給し、化学的気相成長法により、前記下地上に順次に、シリコンゲルマニウム膜及びシリコン膜を形成するに当り、シリコン形成時にはゲルマニウム分圧を低減するための希釈ガスを反応容器内部に供給し、シリコンゲルマニウム形成時には前記希釈ガスの供給を停止することを特徴とする半導体膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/14
, H01L 21/31
