特許
J-GLOBAL ID：200903067187873730
オーミックコンタクト形成用スパッタリングターゲットおよびオーミックコンタクト部の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大場 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-090543
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283170
出願日： 1994年04月05日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】 オーミックコンタクト部にパーティクルの発生を抑えることができるスパッタリング用ターゲットおよびオーミックコンタクト部の形成方法を提供する。【構成】本発明のオーミックコンタクト形成用スパッタリングターゲットは実質的にチタンと窒素からなり、結晶構造が実質的にα型チタン単相であって、窒素とチタンの原子比(N/Ti)が0.15ないし0.30、不純物として含有される水素量が100ppm以下、好ましくは50ppm以下であることを特徴とする。また本発明のオーミックコンタクト部の形成方法は本発明のターゲットをスパッタリングし、窒素とチタンの原子比が1未満の組成を有する薄膜をシリコン上に成膜し、次いで加熱処理を行って前記薄膜とシリコンとを反応させ、前記薄膜のシリコン側にチタンシリサイドを形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
実質的にチタンと窒素からなり、結晶構造が実質的にα型チタン単相であって、窒素とチタンの原子比(N/Ti)が0.15ないし0.30、不純物として含有される水素量が100ppm以下であることを特徴とするオーミックコンタクト形成用スパッタリングターゲット。
IPC (3件)：
H01L 21/285
, C23C 14/34
, H01L 21/768
