特許
J-GLOBAL ID：200903067191181142
レジストパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-161225
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005561
出願日： 1992年06月19日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体基板の表面に、Siの付着がなく工程が簡単で寸法精度が高く微細化の可能なレジストパターンの形成方法を提供する。【構成】 レジスト層2の上に光酸発生剤を含有するガラス形成性物質の塗布液で塗膜3を形成し、所定パターンに露光し現像してガラス層のパターン3aを形成し、ガラス層のパターン3aをマスク4にしてレジスト層2をドライエッチング法によってパターン化する。
請求項（抜粋）：
表面に薄膜が形成された半導体基板上に、レジスト層を積層し、その上に、光酸発生剤を含有するガラス形成性物質の塗布液で塗膜を形成し、所定パターンに露光して露光領域の塗膜をガラス層に変換し、溶剤で非露光領域の塗膜を除去した後ガラス層のパターンをマスクにしてレジスト層をドライエッチングし、この後フッ酸系水溶液でガラス層のパターンを除去してレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/302
, G03F 7/075
, G03F 7/26 511
, H01L 21/027
