III族窒化物基板の製造方法および半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-011571
公開番号（公開出願番号）：特開2004-224600
出願日： 2003年01月20日
公開日（公表日）： 2004年08月12日
要約：

【課題】安価で良質なIII族窒化物基板を製造することが可能な製造方法、およびそれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】基板上に、組成式AluGavIn1-u-vN(ただし、0≦u≦1、0≦v≦1である。)で表される半導体層(種結晶層102)を形成する工程と、窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に上記半導体層の表面を接触させることによって、III族元素と窒素とを反応させて上記半導体層上にIII族窒化物結晶(GaN結晶103)を成長させる工程と、上記III族窒化物結晶を熱処理する工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(i)基板上に、組成式AluGavIn1-u-vN(ただし、0≦u≦1、0≦v≦1である。)で表される半導体層を形成する工程と、 (ii)窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に前記半導体層の表面を接触させることによって、前記少なくとも1つのIII族元素と窒素とを反応させて前記半導体層上にIII族窒化物結晶を成長させる工程と、 (iii)前記III族窒化物結晶を熱処理する工程とを含むIII族窒化物基板の製造方法。

IPC (4件)：

C30B29/38 , H01L21/208 , H01L33/00 , H01S5/323

FI (4件)：

C30B29/38 D , H01L21/208 D , H01L33/00 C , H01S5/323 610

Fターム (43件)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077CG02 , 4G077CG07 , 4G077EA04 , 4G077EA06 , 4G077EF03 , 4G077FE02 , 4G077FE11 , 4G077FG05 , 4G077QA04 , 4G077QA26 , 4G077QA34 , 4G077QA74 , 5F041AA03 , 5F041AA24 , 5F041AA43 , 5F041CA40 , 5F041CA63 , 5F041CA73 , 5F041CA85 , 5F041CA87 , 5F053AA03 , 5F053AA44 , 5F053AA48 , 5F053BB04 , 5F053BB08 , 5F053BB12 , 5F053BB24 , 5F053BB27 , 5F053DD20 , 5F053LL03 , 5F053RR03 , 5F073AA74 , 5F073CA01 , 5F073CB02 , 5F073CB13 , 5F073DA02 , 5F073DA16 , 5F073EA23 , 5F073EA28

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