特許

J-GLOBAL ID：200903067203657091

プラズマ処理装置

発明者： 中嶋 州
出願人/特許権者： ラム リサーチ コーポレーション
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-099729
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284265
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 プラズマによるチャンバ内壁面からの汚染物質の放出を防止するプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 内壁面をプラズマ保護部材40で被覆したプラズマ反応チャンバ70を備えたプラズマ処理装置100において、前記保護部材40を、ボロンを添加して抵抗率を高めた焼結シリコンカーバイド42と、前記焼結シリコンカーバイド42上に堆積した高純度で低抵抗率のシリコンカーバイド被膜44とから構成し、前記シリコンカーバイド被膜44に、線条溝46を形成し、この線条溝46により前記シリコンカーバイド被膜44を区画する。

請求項（抜粋）：

内壁面をプラズマ保護部材で被覆したプラズマ反応チャンバを備えたプラズマ処理装置において、前記保護部材を、ボロンを添加して抵抗率を高めた焼結シリコンカーバイドと、前記焼結シリコンカーバイド上に堆積した高純度で低抵抗率のシリコンカーバイド被膜とから構成し、前記シリコンカーバイド被膜に、線条溝を形成し、この線条溝により前記シリコンカーバイド被膜を区画したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 ,  C04B 35/565 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065

FI (7件)：

H01L 21/205 ,  B01J 19/08 E ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 C ,  C04B 35/56 101 D ,  C04B 35/56 101 X ,  H01L 21/302 B

Fターム (48件)：

4G001BA22 ,  4G001BA33 ,  4G001BB22 ,  4G001BB33 ,  4G001BC72 ,  4G001BD23 ,  4G001BD36 ,  4G075AA51 ,  4G075BA01 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA25 ,  4G075DA18 ,  4G075EB01 ,  4G075EB41 ,  4G075FA12 ,  4G075FB01 ,  4G075FB03 ,  4G075FC15 ,  4K030KA30 ,  4K030KA37 ,  4K030KA46 ,  4K030KA47 ,  4K057DA01 ,  4K057DB06 ,  4K057DD03 ,  4K057DD08 ,  4K057DM01 ,  4K057DM09 ,  4K057DM14 ,  4K057DM28 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA15 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB29 ,  5F045AA08 ,  5F045AB06 ,  5F045AC19 ,  5F045BB14 ,  5F045DA52 ,  5F045DA66 ,  5F045EC01 ,  5F045EC05 ,  5F045EH11 ,  5F045EH19

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマリアクタに特に有用な炭化珪素複合品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-235330   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• プラズマ促進材料処理用の誘導結合型高密度プラズマリアクタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-157851   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド