特許
J-GLOBAL ID：200903067207746161
半導体発光装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-004719
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190900
出願日： 1992年01月14日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 ドライエッチング法により窒化物系半導体を用いた発光装置の製造方法を提供すること【構成】真空中において3μm以下の膜厚でn型層およびi型層あるいはp型層の窒化物系半導体からなる発光層を形成し、リソグラフィー工程をドライエッチング法で行い発光装置を製造する。【効果】 リソグラフィー工程にドライエッチング法を用いることにより、膜厚が1μm以下において良好なダイオード特性を示し、青色の発光を有する半導体発光装置の製造方法を可能にした。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも1種類のIII族元素を含む窒化物系半導体からなるn型層とi型層またはp型層を具備してなる発光層を形成する工程、該発光層の所要の部位をドライエッチングする工程、ドライエッチング後に該発光層を熱処理する工程、および該発光層の所要の部位に少なくとも2つ以上の電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
IPC (2件)：
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