特許

J-GLOBAL ID：200903067210229674

外力センサ及びその製造方法

発明者： 楠山 幸一 ,  塚田 正夫
出願人/特許権者： 株式会社日立ユニシアオートモティブ
代理人 (1件)： 広瀬 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-137210
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332586
出願日： 2002年05月13日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】 SOI基板の絶縁層に枠状のエッチングストッパを設け、その内側に空洞を形成することにより、ダイヤフラム部を正確に効率よく形成する。【解決手段】 SOI基板2には、絶縁層4用のエッチング液に浸食されない材料を用いて枠状のエッチングストッパ7を設け、活性層5のうちエッチングストッパ7の内側部位にピエゾ抵抗素子8を設ける。また、支持層3の貫通孔10を介して絶縁層4をエッチング加工することにより、エッチングストッパ7の内側に空洞11を形成し、活性層5のうち空洞11上の部位をダイヤフラム部12とする。これにより、絶縁層4のエッチング加工時には、エッチング時間等を管理することなく、空洞11の形状を正確に形成でき、ダイヤフラム部12の形状ばらつき等により圧力センサ1の特性に誤差が生じるのを防止することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン材料からなる支持層と活性層との間に絶縁層を挟んで形成した3層からなるSOI基板と、該SOI基板の3層のうち少なくとも絶縁層に設けられ前記絶縁層と異なる材料を用いて枠状に形成されたエッチングストッパと、該エッチングストッパの内側に対応する位置で前記活性層に設けられた撓み検出素子と、前記エッチングストッパの内側に対応する位置で前記支持層に貫通して形成された貫通孔と、前記絶縁層のうち前記エッチングストッパの内側に位置する部位を該貫通孔を介してエッチング加工することにより形成された空洞と、前記活性層のうち該空洞に対応する部位を用いて形成され外力により撓み変形する薄肉部とから構成してなる外力センサ。

IPC (2件)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/00 303

FI (2件)：

H01L 29/84 B ,  G01L 9/00 303 F

Fターム (34件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE14 ,  2F055FF11 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  2F055GG15 ,  4M112AA01 ,  4M112AA02 ,  4M112BA01 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112CA08 ,  4M112CA16 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA06 ,  4M112DA09 ,  4M112DA10 ,  4M112DA12 ,  4M112DA15 ,  4M112DA18 ,  4M112EA03 ,  4M112EA04 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112EA11 ,  4M112FA01 ,  4M112FA05 ,  4M112FA07 ,  4M112FA09 ,  4M112FA20