特許
J-GLOBAL ID:200903067210984502

ダミーウェハおよびそれを用いた異物解析装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-267445
公開番号(公開出願番号):特開平6-120311
出願日: 1992年10月06日
公開日(公表日): 1994年04月28日
要約:
【要約】【目的】 各工程の検査装置間における互換性のある高精度な座標指定を可能とし、特に半導体集積回路装置の各生産設備において、ウェハ上に付着した異物解析が容易に可能となるダミーウェハおよびそれを用いた異物解析装置を提供する。【構成】 半導体集積回路装置の各生産設備上を搬送させ、ウェハに対する付着異物の解析が可能とされるダミーウェハ1であって、鏡面ウェハ2の中央に1点の開孔3が設けられ、かつその左右に2点の開孔4,5がオリフラ6と平行かつ等間隔に設けられている。そして、中央に設けられた開孔3は、ダミーウェハ1の座標を決定する場合の原点位置となり、また左右の開孔4,5はその原点位置に対する座標点となり、ダミーウェハ1のX軸およびY軸における座標方向を決定する場合に用いられる。
請求項(抜粋):
ウェハ上の座標を得るためのダミーウェハであって、鏡面ウェハの所定の位置に原点および座標点となる開孔を高精度に設けることを特徴とするダミーウェハ。

前のページに戻る