特許

J-GLOBAL ID：200903067211211426

半導体集積回路装置

発明者： 廣川 潤 ,  石田 尚 ,  佐藤 正幸 ,  堀内 光明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-066421
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257210
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップ上に設けられた表面保護膜の破壊を防いでCCBバンプの信頼性を向上する。【解決手段】 表面保護膜10を無機絶縁膜10aとPIQ膜10bとで構成し、無機絶縁膜10aを相対的に柔らかいPIQ膜10bで覆い、無機絶縁膜10aと下地金属BLMとの接触を防ぐことにより、無機絶縁膜10aに加わるCCBバンプ5および/または下地金属BLMの応力を低減して、無機絶縁膜10aの破断を防ぐ。

請求項（抜粋）：

半導体チップに形成された複数の電極導体パターンが、1層以上の構成材料からなる表面保護膜の上層に設けられた半導体集積回路装置であって、前記電極導体パターンと接する前記表面保護膜の構成材料を有機膜によって構成し、冗長回路の一部を構成する複数のヒューズを、前記電極導体パターンの少なくとも一部の構成材料によって構成したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/60

FI (6件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/82 F ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 602 K ,  H01L 21/92 603 D ,  H01L 21/92 603 G

Fターム (47件)：

5F033HH07 ,  5F033HH13 ,  5F033HH17 ,  5F033HH22 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ22 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ24 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033TT07 ,  5F033VV07 ,  5F033VV11 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19 ,  5F033XX33 ,  5F064DD42 ,  5F064EE53 ,  5F064FF02 ,  5F064FF27 ,  5F064FF32 ,  5F064FF42