特許
J-GLOBAL ID：200903067213967536
TFTアレイのエッチング加工方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-028141
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226653
出願日： 1992年02月14日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：
【要約】【目的】この発明は、金属膜および半導体膜と他の絶縁膜との十分な選択比が得られ、成膜工程,エッチング装置に固有と考えられていた局部的な特性ムラが解消され、画質が大幅に改良出来たTFTアレイのエッチング加工方法を提供することを目的とする。【構成】この発明のTFTアレイのエッチング加工方法は、プラズマ中で弗素イオン又は弗素ラジカルを形成するガスと、組成の中に酸素又はNxOyで示されるガスを少なくとも有する混合ガスのプラズマを用いてエッチングを行なうことを特徴とし、上記の目的を達成することが出来る。
請求項（抜粋）：
プラズマ中で弗素イオン又は弗素ラジカルを形成するガスと、組成の中に酸素又はNxOyで示されるガスを少なくとも有する混合ガスのプラズマを用いてエッチングを行なうことを特徴とするTFTアレイのエッチング加工方法。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 21/302
