特許
J-GLOBAL ID：200903067229077549

パワー半導体モジュール及び電力変換装置

発明者：
田 多 伸 光

田 多 伸 光 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-350002
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168278
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 モジュールの交換作業を容易にし、主回路のインダクタンスを低減し、導体の温度上昇を抑制し得るパワー半導体モジュールの提供。【解決手段】 本発明は、べース7と絶縁パッケージ3とで外囲器を構成し、その外囲器の中に半導体チップを収納し、パッケージ3上に複数の主端子、例えばコレクタ端子4又はカソード端子と、エミッタ端子又はアノード5とを設けたパワー半導体モジュールに関する。両主端子4,5をそれぞれべース7に平行に配置した状態でパッケージ3の外部に突出させ、各主端子に形成した導体取付ボルト12用の貫通穴4h,5hが外囲器の外部に位置するように構成する。
請求項（抜粋）：
べースとその上に配置された絶縁パッケージとで構成された外囲器の中に半導体チップを収納し、前記パッケージ上に複数の主端子を配設したパワー半導体モジュールにおいて、前記複数の主端子をそれぞれ前記べースに平行に配置した状態で前記パッケージの外部に突出させ、各主端子に形成した導体取付ボルト用の貫通穴をボルトの軸心方向から見て前記パッケージの外部に位置させたことを特徴とするパワー半導体モジュール。
IPC (2件)：
H01L 25/10 ,  H01L 25/18
引用特許：
出願人引用 (2件)

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