特許
J-GLOBAL ID：200903067229315636
薄膜形成法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-199096
公開番号（公開出願番号）：特開平7-034249
出願日： 1993年07月15日
公開日（公表日）： 1995年02月03日
要約：
【要約】【目的】 多成分系よりなるセラミック薄膜の膜組成の制御が容易でしかも精度のよい薄膜形成法を提供する。【構成】 CVD装置Aにより、PbTiO3の構成元素のうちPbとOからなるPbO薄膜を所定時間原子一層分基板3上に形成する。PbO薄膜の形成後に、形成されたPbO薄膜上に残りの構成元素であるTiとOからなるTiO2薄膜をTi原子一層分形成する。この操作をくり返すことによりPbTiO3薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
多成分系の薄膜を形成する薄膜形成法であって、前記薄膜を形成する工程は複数の成膜工程からなり、前記薄膜の構成元素のうちの一部の元素の組からなる膜を形成する少なくとも1回の成膜工程を有することを特徴とする薄膜形成法。
IPC (2件)：
引用特許：
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