特許
J-GLOBAL ID：200903067229641550
固体撮像素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-263745
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125157
出願日： 1994年10月27日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】固体撮像素子のオーバーフロードレインを簡単な構造で開口率よく形成するとともにその構造で低暗電流を実現すること。【構成】受光素子を成すN型不純物領域2の読み出しトランジスタのソースとなる部分を除く前表面及びそこからN型不純物領域2周囲に設けられたP+ 型素子分離領域5上に至るまでの領域に、光を透過し得る極薄のショットキー電極14aが設けられている。NPダイオードで生じる拡散電位より小さい適当な高さのバリアが得られる金属を選ぶことによってオーバーフロードレインとして機能すると同時に、暗電流発生源となる酸化膜との界面を常に非空乏状態に保つことができるので、暗電流低減をすることができる。金属薄膜は光を遮る構成要素ではないので開口部面積は大きくでき、構造が簡単なので構造も容易にできる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面部のP(またはN)型半導体領域の表面部に選択的に設けられた第1のN(またはP)型不純物領域を有してなる受光素子を複数列状に配置した受光素子列、前記受光素子列と並行に配置された電子走査手段および前記各受光素子から信号電荷を前記電子走査手段へ転送する読み出しゲートを含む画素列が複数並列配置されてなる固体撮像素子において、前記第1のN(またはP)型不純物領域の表面のうち前記読み出しゲートに隣接する部分を除き透光性のショットキー電極が設けられ、前記ショットキー電極は前記第1のN(またはP)型不純物領域の周囲を囲むP+ (またはN+ )型素子分離領域と電気的に接続されているとともに前記第1のN(またはP)型不純物領域との間の拡散電位が前記第1のN(またはP)型不純物領域と前記P(またはN)型半導体領域との間の拡散電位より小さくなるショットキー・バリアを有していることを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
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