特許
J-GLOBAL ID:200903067230481604

太陽電池およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-043313
公開番号(公開出願番号):特開平8-242011
出願日: 1995年03月02日
公開日(公表日): 1996年09月17日
要約:
【要約】【目的】 電流値の低下がなく、しかもレーザースクライブを良好に行うことができる、高変換効率の集積型太陽電池及びその製造方法を提供する。【構成】 レーザースクライブにより各単位太陽電池の裏面電極16となる金属膜を、該レーザーにより切断される部分及びその近傍部であってその下地層と接する領域にはスパッタ法により成膜した第1の金属膜部分16bを有し、かつ該金属膜の、第1の金属膜部分以外の領域には、真空蒸着法により成膜した第2の金属膜部分16aを有する構造とした。
請求項(抜粋):
非晶質半導体からなる光電変換活性層と、該光電変換活性層上に配置された、電極としての金属膜と、該光電変換活性層及び該電極に隣接して位置した、該光電変換活性層と該電極との接触界面が露出している空間領域とを備え、該金属膜の、該光電変換活性層と接しかつ該空間領域に隣接する部分は、該光電変換活性層へ金属粒子を高いエネルギーでもって付着させて成膜した第1の金属膜部分から構成されており、該金属膜の、該光電変換活性層と接しかつ該空間領域から離間した部分は、該光電変換活性層へ金属粒子を低いエネルギーでもって付着させて成膜した第2の金属膜部分を有している太陽電池。
FI (2件):
H01L 31/04 S ,  H01L 31/04 M
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭63-289969
  • 特開昭57-176778

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