特許
J-GLOBAL ID：200903067244666763
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-150348
公開番号（公開出願番号）：特開平10-055684
出願日： 1989年09月20日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 回路の簡素化を図りつつ、メモリセルの消去制御を安定的に行うことができる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 複数のワード線と複数のデータ線との交点に接続され、電気的に消去可能にされた複数のメモリセルを有し、該メモリセルに情報を書き込む書き込みモード、上記メモリセルの情報を読み出す読み出しモード、およびメモリセルのしきい値電圧を所定の範囲内にするための電圧を印加する消去動作と上記メモリセルのしきい値電圧の状態を読み出すベリファイ動作とを行う消去モードとを備え、かかる消去モードにおけるベリファイ動作の際に上記メモリセルに接続されたワード線に印加される電圧は、上記読み出しモードの際に上記ワード線に印加される電圧よりも小さくする。
請求項（抜粋）：
複数のワード線と複数のデータ線との交点に接続され、電気的に消去可能にされた複数のメモリセルを有し、該メモリセルに情報を書き込む書き込みモード、上記メモリセルの情報を読み出す読み出しモード、および上記メモリセルのしきい値電圧を読み出し時におけるワード線の選択レベルより低くするための電圧を印加する消去動作と上記メモリセルのしきい値電圧の状態を読み出すベリファイ動作とを行う消去モードとを備え、上記消去モードにおけるベリファイ動作の際に上記メモリセルに接続されたワード線に印加される電圧は、上記読み出しモードの際に上記ワード線に印加される電圧よりも小さいことを特徴とする半導体記憶装置。
引用特許：
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