特許

J-GLOBAL ID：200903067245160979

バンプ及びバンプ形成方法及びバンプ形成装置

発明者： 鵜野 雄二 ,  赤松 敏正 ,  里 和典
出願人/特許権者： 富士通テン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-323153
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163258
出願日： 1996年12月03日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高く、且つ、高さのばらつきの少ないバンプを形成すると共に、半田付け時に周辺へ溶融半田が流出しないバンプ形状、バンプ形成方法を提供する。【解決手段】キャピラリ36の先端部のキャピラリホール内部にキャピラリホールの内径よりも大きい内径を有する円錐台状又は円柱状の凹部が設けられたキャピラリにより、キャピラリ36の先端部から突出した金属ワイヤ13の一端をキャピラリの先端部と電極92a表面の間で圧着した後、金属ワイヤ13の他端を切断して表面実装型電子部品の電極表面に突設されてなる金属バンプ34を形成する。

請求項（抜粋）：

表面実装型電子部品の電極表面に突設されてなるバンプにおいて、前記バンプが円錐台状又は円柱状に形成されてなることを特徴とするバンプ。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321

FI (5件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 G ,  H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/92 604 J ,  H01L 21/92 604 K