特許
J-GLOBAL ID:200903067247727186

半導体装置製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-337864
公開番号(公開出願番号):特開平9-153462
出願日: 1995年12月01日
公開日(公表日): 1997年06月10日
要約:
【要約】【目的】 積層形成を行う半導体装置の製造において、界面の汚染のうち特に従来の方法では除去できない炭素の一重結合を含む汚染物を除去し、清浄な表面を得ることを目的とする。【構成】水素ラジカルや水素イオンなどの活性な水素、酸素ラジカルや酸素イオンやオゾンなどの活性な酸素などをECRを用いて形成し、それによって基板上の被積層形成面上の炭素の一重結合を含む汚染物をガス化し減少させる。
請求項(抜粋):
被膜形成を行う半導体装置製造方法において、積層形成を行う前に、減圧状態でマイクロ波と磁場で活性化された水素によって、被積層形成面上の少なくともその一部において炭素の一重結合を含む汚染物を減少させ、その後前記被積層形成面上に前記積層形成を行うことを特徴とする半導体装置製造方法。
IPC (4件):
H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46 ,  C23C 16/02
FI (4件):
H01L 21/205 ,  H05H 1/46 C ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/302 B
引用特許:
審査官引用 (2件)

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