特許

J-GLOBAL ID：200903067249884270

暗化防止CCD素子

発明者： 福元 宏司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 猪股 祥晃
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242997
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106541
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】CCD素子のオプティカルブラック領域に設ける遮光膜に非導電性材料を使用して、放射線環境下での暗電流増加を防止した暗化防止CCD素子を提供する。【構成】暗化防止CCD素子18は、p型半導体基板13の表面に形成した絶縁層14上に配置された複数の電極15およびフォトダイオード17と、映像信号の黒レベルを決めるオプティカルブラック領域23とするために前記電極15の一部を遮光膜24により遮光したCCD素子において、前記遮光膜24を非導電性材料としたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

p型半導体基板の表面に形成した絶縁層上に配置された複数の電極およびフォトダイオードと、映像信号の黒レベルを決めるオプティカルブラック領域とするために前記電極の一部を遮光膜により遮光したCCD素子において、前記遮光膜を非導電性材料としたことを特徴とする暗化防止CCD素子。