半導体デバイスのキャリア濃度および応力の測定方法、装置およびプログラム

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小笠原史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-042115
公開番号（公開出願番号）：特開2005-233733
出願日： 2004年02月18日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：

【課題】半導体デバイスのキャリア濃度および応力を分光学的に求める方法を提供すること。【解決手段】被検試料の被検部位における発光スペクトルの半値幅およびピーク位置を得、予め被検試料と同じ組成比率を有する複数の異なるキャリア濃度の標準試料で決定した発光スペクトルの半値幅とキャリア濃度との関係に基づいて、被検試料の発光スペクトルの半値幅から被検試料のキャリア濃度を算出し、予め被検試料と同じ組成比率を有する複数の異なるキャリア濃度の標準試料で決定した発光スペクトルのピーク位置とキャリア濃度との関係から、被検試料のキャリア濃度での標準試料の発光スペクトルのピーク位置を算出し、算出した標準試料の発光スペクトルのピーク位置と測定した被検試料の発光スペクトルのピーク位置との差分値(ピーク位置移動量)を決定し、ピーク位置移動量と被検試料の応力感度係数とから被検部位に働く応力を算出する、応力測定方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

被検試料に働く応力を決定するための装置であって、被検試料の被検部位において発光スペクトルを測定するためのスペクトル測定部と、記憶部と、演算部と、出力部とを含み、前記記憶部は、予め前記被検試料の被検部位と同じ組成比率を有する複数のキャリア濃度の異なる標準試料を用いて求めた発光スペクトルの半値幅とキャリア濃度との関係を表すアルゴリズムを含むデータと、予め前記被検試料の被検部位と同じ組成比率を有する複数のキャリア濃度の異なる標準試料について、発光スペクトルのピーク位置とキャリア濃度との関係を表すアルゴリズムを含むデータと、前記被検試料の応力感度係数のデータとを格納しており、前記演算部は、前記被検試料の被検部位において測定した発光スペクトルから、当該発光スペクトルの半値幅およびピーク位置を算出するステップと、前記標準試料の発光スペクトルの半値幅とキャリア濃度との関係を表すアルゴリズムに基づいて、前記被検試料の発光スペクトルの半値幅から、当該被検試料の被検部位におけるキャリア濃度を算出するステップと、前記標準試料の発光スペクトルのピーク位置とキャリア濃度との関係を表すアルゴリズムに基づいて、前記被検試料のキャリア濃度における、前記標準試料の発光スペクトルのピーク位置を算出するステップと、前記算出した前記標準試料の発光スペクトルのピーク位置と、前記測定した前記被検試料の発光スペクトルのピーク位置との差分値を求めることによって、当該被検試料の発光スペクトルの応力によるピーク位置移動量を得るステップと、前記ピーク位置移動量と、前記被検試料の応力感度係数とから、式: Δν=Πσ (Δν:被検試料の被検部位の発光スペクトルのピーク位置移動量、Π:応力感度係数、σ:被検試料の被検部位に働く応力) に基づいて、前記被検試料の前記被検部位に働く応力を算出するステップとを包含する演算処理を行い、前記出力部は、前記算出された応力値を出力する、装置。

IPC (6件)：

G01L1/00 , G01N21/62 , G01N21/63 , G01N21/65 , G01N23/225 , H01L21/66

FI (6件)：

G01L1/00 B , G01N21/62 A , G01N21/63 Z , G01N21/65 , G01N23/225 , H01L21/66 N

Fターム (32件)：

2G001AA02 , 2G001AA03 , 2G001AA05 , 2G001AA07 , 2G001CA07 , 2G001FA02 , 2G001GA01 , 2G001KA01 , 2G001KA07 , 2G001LA11 , 2G001MA05 , 2G043AA01 , 2G043AA06 , 2G043CA05 , 2G043EA01 , 2G043EA03 , 2G043EA06 , 2G043FA07 , 2G043JA01 , 2G043KA01 , 2G043KA02 , 2G043KA05 , 2G043KA09 , 2G043NA01 , 4M106BA02 , 4M106BA03 , 4M106BA05 , 4M106CA18 , 4M106CA70 , 4M106CB01 , 4M106DJ11 , 4M106DJ21

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