特許

J-GLOBAL ID：200903067264785017

燐化物パッシベートゲルマニウム基板を有する多層半導体構造

発明者： アーマー、ジェームス・エイチ ,  カイ、リー ,  ハッダド、モラン ,  キャビッチ、ブルース・ティー ,  カラム、ナッサー・エイチ
出願人/特許権者： ザ・ボーイング・カンパニー
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-608449
公開番号（公開出願番号）：特表2002-540635
出願日： 2000年03月20日
公開日（公表日）： 2002年11月26日
要約：

【要約】多層半導体構造20は第1の表面24を有するゲルマニウム基板22を含んでいる。ゲルマニウム基板22は2つの領域、すなわちバルクのp型ゲルマニウム領域28と、第1の表面24に隣接したn型の燐ドープゲルマニウム領域30とを有している。燐化物材料の層34がゲルマニウム基板22の第1の表面24を覆ってそれと接触している。砒化ガリウムの層36が燐化物材料の層34を覆ってそれと接触し、電気コンタクト38が太陽電池を形成するために設けられる。付加的な光起電接合部が多接合部太陽電池を形成するために付加されてもよい。太陽電池は太陽電池パネル100 を形成するために共に組立てられることができる。

請求項（抜粋）：

第1の表面と、 バルクのゲルマニウム領域と、第1の表面に隣接した燐ドープされたゲルマニウム領域との2つの領域を有するゲルマニウム基板と、 ゲルマニウム基板の第1の表面を覆ってそれと接触している燐化物材料の層とを具備していることを特徴とする多層半導体構造。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/30 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 E

Fターム (30件)：

4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA25 ,  4K030BA51 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030LA16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AF02 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DA60 ,  5F045HA10 ,  5F051AA02 ,  5F051AA08 ,  5F051DA19 ,  5F051GA04 ,  5F051GA20