特許

J-GLOBAL ID：200903067265812778

半導体装置およびその製造方法

発明者： 坂本 則明 ,  小林 義幸 ,  阪本 純次 ,  真下 茂明 ,  大川 克実 ,  前原 栄寿 ,  高橋 幸嗣
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (2件)： 岡田 敬 ,  須藤 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-342078
公開番号（公開出願番号）：特開2004-007021
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】 薄型、軽量のパッケージが採用されている。しかし薄型故に発生するパッケージの反り、実装基板との熱膨張係数の違いにより発生する問題、例えば、半導体装置の中に設けられた導電路の断線、金属細線との接続不良が発生し、半導体装置の信頼性に問題があった。【解決手段】 絶縁性樹脂44には、X軸-Y軸方向がZ軸方向よりも大きい結晶から成る導電路40を埋め込み、導電路40の裏面は、絶縁性樹脂44から露出されて封止される半導体装置を提供する。これにより、絶縁性樹脂44に埋め込まれた導電路40の断線を抑制する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

導電パターンと、 前記導電パターンと電気的に接続された半導体素子と、 前記半導体素子および前記導電パターンを被覆する封止樹脂とを具備し、 前記導電パターンの材料として不純物が混入された金属を採用することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L23/50 ,  H01L21/56

FI (3件)：

H01L23/50 V ,  H01L23/50 R ,  H01L21/56 T

Fターム (25件)：

5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061DD12 ,  5F061DD13 ,  5F061EA03 ,  5F061FA02 ,  5F067AA01 ,  5F067AA06 ,  5F067AB04 ,  5F067BA03 ,  5F067BB01 ,  5F067BC12 ,  5F067CB08 ,  5F067CD10 ,  5F067DA17 ,  5F067DA18 ,  5F067DC15 ,  5F067DC17 ,  5F067DE08 ,  5F067DF02 ,  5F067DF06 ,  5F067DF07 ,  5F067EA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平3-94431号公報