特許
J-GLOBAL ID：200903067280636633
磁気メモリセル、磁気ランダムアクセスメモリ、及び磁気メモリセルの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-291946
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103692
出願日： 2005年10月05日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】充分な磁気異方性を保ったまま、セル面積を縮小することができる磁気メモリセルを提供すること。【解決手段】本発明に係る磁気メモリセル1は、磁化の向きが固定されたピン層3と、磁化の向きが反転可能な磁気記録層10と、ピン層3と磁気記録層10に挟まれたバリア層4とを備える。磁気記録層10は、バリア層4上に形成された磁性体14と、非磁性体13を介して磁性体14上に形成された筒状磁性体11とを有する。筒状磁性体11は、第1方向に沿った軸の周りを取り囲む筒状の構造を有する。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
磁化の向きが固定されたピン層と、
磁化の向きが反転可能な磁気記録層と、
前記ピン層と前記磁気記録層に挟まれたバリア層と
を具備し、
前記磁気記録層は、
前記バリア層上に形成された磁性体と、
非磁性体を介して前記磁性体と磁気的に結合した筒状磁性体と
を有し、
前記筒状磁性体は、第1方向に沿った第1軸の周りを一方向に回るように分布する回転磁化を有し、
前記磁性体の磁化の向きは、前記回転磁化の向きによって変わる
磁気メモリセル。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, H01L 21/824
, H01L 27/105
H01L43/08 P
, H01L27/10 447
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083LA21
