半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-030086
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244226
出願日： 1993年02月19日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】本発明は半導体装置に関し、信頼性の高い半導体素子基体と載置部材との接着構造を得ることを目的とする。【構成】Cr,Ti,Mo,W,Zr,Hfの群から選択された少なくとも1の元素を主成分とする金属層(3)がSn及びSbを主成分とするろう材(4)と直接固着される接着構造を、半導体基体(1)と載置部材(5)の間に有する。【効果】金属層(3)とはんだ材(4)の間には、Snとの間で金属間化合物を生成しやすいNi,Pt,Cu,Pdのような中間層金属が介在しないので、その生成による選択的な破壊が生じない。金属層の成分はろう材の成分と親和性が高く、ろう材成分の拡散を促す結果、ろう材との間の拡散による接着力が付与される。

請求項（抜粋）：

半導体基体が載置部材上に接着された半導体装置において、Cr,Ti,Mo,W,Zr,Hfの群から選択された少なくとも1の元素を主成分とする金属層がSn及びSbを主成分とするろう材と直接固着される接着構造を、前記半導体基体と載置部材間に有することを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭49-040065
特開昭50-126173

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