特許

J-GLOBAL ID：200903067297423951

半導体装置の製造方法

発明者： 小藤 直行 ,  伊澤 勝 ,  小川 太郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-072920
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281837
出願日： 2003年03月18日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】カーボン元素を含む絶縁膜を用いた配線工程において、高歩留まりのレジストマスク除去方法およびSiCエッチング方法を提供する。【解決手段】高周波バイアスを印加した試料に水素、メタン、希ガスの混合ガスのプラズマを照射する。【効果】Cu配線や低誘電率膜を変質させず、高選択のレジスト除去方法およびSiCエッチング方法を実現する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板上にSi、O、Cのすべての元素を含む第1の絶縁膜を堆積する工程と、 前記第1の絶縁膜上にレジスト膜を塗布する工程と、 前記レジスト膜に形成されたパターンに倣って前記第1の絶縁膜をエッチングする工程と、および H2、CH4の両方を含む混合ガスのプラズマを用いて、前記レジスト膜を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L21/3065 ,  H01L21/768

FI (4件)：

H01L21/302 105A ,  H01L21/90 S ,  H01L21/90 A ,  H01L21/90 M

Fターム (41件)：

5F004AA05 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004DA00 ,  5F004DA24 ,  5F004DB00 ,  5F004DB24 ,  5F004DB26 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033RR25 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033TT03 ,  5F033TT04 ,  5F033WW04 ,  5F033XX20 ,  5F033XX28