特許
J-GLOBAL ID：200903067297693711
ジフルオロスチルベン誘導体の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 勝利
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-211802
公開番号（公開出願番号）：特開平11-049707
出願日： 1997年08月06日
公開日（公表日）： 1999年02月23日
要約：
【要約】【課題】 低粘性、高速応答性液晶材料として有用なジフルオロスチルベン誘導体の簡便かつ安価な製造方法を提供する。【解決手段】 式(IIa)【化1】の化合物又は式(IIb)【化2】の化合物あるいはこれらの混合物を塩基と反応させることを特徴とする式(I)【化3】(R1:アルコキシルにより置換可能なC数1〜20のアルキル、アルケニル等、環A、環B:F置換可能な1,4-フェニレン、トランス-1,4-シクロへキシレン等、k、l:独立的に0、1、2、m、n:独立的に0、1、R2:F、Cl、Br、H、CN、-OCF3等)で表される化合物の製造方法。
請求項（抜粋）：
一般式(I)【化1】(式中、R1はアルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数1〜20のアルキル基、アルケニル基、アルコキシル基またはアルケニルオキシ基を表し、環Aおよび環Bはフッ素置換されていてもよい1,4-フェニレン基、トランス-1,4-シクロへキシレン基、ピリミジン-2,5-ジイル基、ピリジン-2,5-ジイル基、ピラジン-2,5-ジイル基、ピリダジン-3,6-ジイル基またはトランス-1,3-ジオキサン-2,5-ジイル基を表し、kおよびlはそれぞれ独立的に0、1、2を表し、mおよびnはそれぞれ独立的に0または1を表し、R2はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、水素原子、シアノ基、-OCF3、-OCF2H、-CF3、-OCH2CF3、アルコキシル基により置換されていてもよい炭素原子数1〜20のアルキル基、アルケニル基、アルコキシル基またはアルケニルオキシ基を表す。)で表される化合物の製造方法であって、一般式(IIa)【化2】(式中、R1、R2、環A、環B、k、l、m及びnは一般式(I)におけると同じ意味を表す。)で表される化合物又は一般式(IIb)【化3】(式中、R1、R2、環A、環B、k、l、m及びnは一般式(I)におけると同じ意味を表す。)で表される化合物あるいはこれらの混合物を塩基と反応させることを特徴とする製造方法。
IPC (13件)：
C07C 25/18
, C07C 17/16
, C07C 17/18
, C07C 41/24
, C07C 43/192
, C07C 43/225
, C07C253/30
, C07C255/46
, C07C255/49
, C09K 19/16
, C09K 19/30
, C09K 19/34
, G02F 1/13 500
C07C 25/18
, C07C 17/16
, C07C 17/18
, C07C 41/24
, C07C 43/192
, C07C 43/225 C
, C07C253/30
, C07C255/46
, C07C255/49
, C09K 19/16
, C09K 19/30
, C09K 19/34
, G02F 1/13 500
