特許
J-GLOBAL ID：200903067298627364
半導体加速度センサの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-142602
公開番号（公開出願番号）：特開平5-273230
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 必要な方向のみに感度を有し、不必要な横方向には感度を有しない半導体加速度センサの製造方法を提供する。【構成】 第1の半導体基板21をエッチングすることによって、片持ばり22と、上記片持ばり22の先端部の一方の面に第1の半導体重り23を形成する工程と、上記片持ばり22の他方の面に第2の半導体基板31を接着する工程と、上記第2の半導体基板31をエッチングすることによって、上記第1の重り23と概略同じ重さの第2の半導体重り27を上記片持ばり22の他方の面の上記第1の重り23と対称位置に形成する工程と、を備える。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、一端を支持された片持ばりの偏位を検出することによって加速度を検出する半導体加速度センサを製造する方法において、第1の半導体基板をエッチングすることによって、片持ばりと、上記片持ばりの先端部の一方の面に第1の半導体重りを形成する工程と、上記片持ばりの他方の面に第2の半導体基板を接着する工程と、上記第2の半導体基板をエッチングすることによって、上記第1の重りと概略同じ重さの第2の半導体重りを上記片持ばりの他方の面の上記第1の重りと対称位置に形成する工程と、を備え、上記二つの重りの全体の重心を上記片持ばりの厚さ方向の中心に一致させた半導体加速度センサを製造することを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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