特許

J-GLOBAL ID：200903067299135309

半導体装置及びその製造方法並びに太陽電池

発明者： 豊田 和弘 ,  中川 伸一 ,  佐藤 賢次
出願人/特許権者： 矢崎総業株式会社
代理人 (1件)： 瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-234796
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135501
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 Mo層とCIS系薄膜半導体層との間の密着の低下及びMo層とCIS系薄膜半導体層との界面の接触抵抗の増大を防止した、半導体装置及びその製造方法並びに太陽電池を提供することを目的とする。【解決手段】 基板上にMo層を形成し、次に、このMo層上にCIS系薄膜半導体層を形成する、半導体装置の製造において、Mo層の応力を0〜0.4GPaの圧縮応力にして、Mo層とCIS系薄膜半導体層との間に、密着の低下及び接触抵抗の増大の原因となる、MoSex の生成を防止する。前記CIS系薄膜半導体層は、例えば、CuInSe2 、CuInS2、Cu(In1-xGax)Se2、CuIn(SxSe1-x)2 及びCu(In1-xGax)(SySe1-Y)2 から選ばれる少なくとも1種の化合物で構成される。そして、このようにして得られた半導体装置は、太陽電池とされる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたモリブデン層、及び、このモリブデン層上に形成されたCIS系薄膜半導体層、を有する半導体装置において、モリブデン層の応力を0〜0.4GPaの圧縮応力にすることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  C03C 17/40 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

H01L 31/04 E ,  C03C 17/40 ,  H01L 21/203 Z