特許

J-GLOBAL ID：200903067301569273

半導体装置及びその製造方法

発明者： 長谷川 潔
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-042767
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243872
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】設備コストさらには製造コストの増加を招くことなく、BGAあるいはCSP等の半導体装置の基板に外部接続用の電極を容易にかつ確実に製造することができるようにする。【解決手段】 一方の面から他方の面に貫通する貫通孔54及び貫通孔の位置に一部が位置付けられた配線52を有する平板状の絶縁性キャリア部材50形成し、この絶縁性キャリア部材50の上面に、集積回路を内蔵しかつ下方に突出するバンプ33を有する半導体チップ31を載置し、バンプ33を配線52に溶融接合する。貫通孔52を通して吸引することにより、配線52に対してはんだボールを直接吸着させ溶融接合し、球状電極40を形成する。

請求項（抜粋）：

集積回路を内蔵した半導体チップと、外部に接続される外部接続用電極とを備える半導体装置であって、前記半導体チップの一方の面と所定間隔をおいて対向するように配置された平板状の絶縁性キャリア部材を有し、前記半導体チップは、前記一方の面から前記絶縁性キャリア部材に向かって突出する突出電極を有し、前記絶縁性キャリア部材は、前記半導体チップに対向する面から反対の面に貫通する貫通孔と、前記貫通孔の位置に一部が位置付けられかつ前記突出電極に接続された導電路とを有し、前記外部接続用電極は、前記絶縁性キャリア部材に形成された貫通孔の位置にて前記導電路に接続されている、ことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H05K 1/18 ,  H05K 3/34 505

FI (3件)：

H01L 23/12 L ,  H05K 1/18 L ,  H05K 3/34 505 A

Fターム (10件)：

5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319BB04 ,  5E319CC33 ,  5E319CD25 ,  5E336AA04 ,  5E336BC01 ,  5E336BC28 ,  5E336CC32 ,  5E336CC55