半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-000552
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165691
出願日： 2004年01月05日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】素子特性の改善を図ったトレンチゲート構造を有する半導体装置を実現すること。【解決手段】半導体装置の製造方法は、n型バッファ層2の表面上に、n型バッファ層2よりも薄い、高抵抗のn型ベース層3をエピタキシャル成長させる工程と、n型ベース層3の表面にp型ベース層4を形成し、この第2ベース層の表面にn型ソース層を形成し、n型ソース層およびp型ベース層4を貫き、n型ベース層3の途中の深さまで達するトレンチを形成し、このトレンチ内にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、n型バッファ層2の厚さをn型ベース層3よりも薄くする工程と、n型バッファ層2の裏面にn型バッファ層2よりも薄いp型ドレイン層1を形成する工程とを有する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

第1導電型のバッファ層の表面上に、該バッファ層よりも薄い、高抵抗で第1導電型の第1ベース層をエピタキシャル成長させる工程と、前記第1導電型のベース層の表面に第2導電型の第2ベース層を、この第2ベース層の表面に第1導電型のソース層を、ならびに、前記ソース層および前記第2ベース層より深く、前記第1ベース層まで達するトレンチをそれぞれ形成する工程と前記バッファ層の厚さを前記第1ベース層よりも薄くする工程と、前記バッファ層の裏面に該バッファ層よりも薄い第2導電型のドレイン層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/8222 , H01L21/8234 , H01L21/8249 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/088

FI (11件)：

H01L29/78 655B , H01L29/78 652F , H01L29/78 652H , H01L29/78 652M , H01L29/78 653A , H01L29/78 656C , H01L27/08 331E , H01L29/78 658H , H01L27/08 102E , H01L27/06 321A , H01L27/06 101U

Fターム (29件)：

5F048AA03 , 5F048AA05 , 5F048AA10 , 5F048AC04 , 5F048AC06 , 5F048AC07 , 5F048BA04 , 5F048BA07 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BB01 , 5F048BB05 , 5F048BB20 , 5F048BC01 , 5F048BC02 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BC16 , 5F048BD07 , 5F048BF03 , 5F048BF11 , 5F048BH07 , 5F048CA03 , 5F048CA06 , 5F082AA27 , 5F082BA47 , 5F082BC01 , 5F082BC09 , 5F082CA08

引用特許：

審査官引用 (2件)

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-153321 出願人：三洋電機株式会社
床ずれ用介護マット
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-106511 出願人：可児大, 田島みつ子

前のページに戻る