特許
J-GLOBAL ID：200903067306521163
半導体基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-127869
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335513
出願日： 1994年06月09日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 厚さが不均一な半導体基板を用いても薄膜部の厚さを均一化できるとともに、基板ごとに薄膜部形成のための基板除去終了位置を変更する面倒な作業が不要にでき、しかも両基板の密着後のボイドの検出を魔鏡を使って簡単に行うことができる半導体基板の製造方法を提供することにある。【構成】 単結晶シリコン基板1の鏡面1a側に酸化シリコン膜2を形成するとともにその上にレジスト3を形成し、基板1におけるレジスト3が形成された面を加工装置のチャックテーブル4に固定し、基板1における他方の面を研削して基板1を均一なる所定の厚さにする。酸化シリコン膜2とレジスト3を除去し、基板1の鏡面1aと、単結晶シリコン基板の鏡面とを酸化シリコン膜を介在した状態で貼り合わせ、その基板の貼り合わせ面でない他方の面を、研削および鏡面研磨して基板を薄膜化する。
請求項（抜粋）：
少なくとも一方の面が鏡面研磨された第1半導体基板の鏡面側に保護膜を形成する第1工程と、前記第1半導体基板における保護膜が形成された面を加工装置のチャックテーブルに固定し、第1半導体基板における他方の面を研削して該第1半導体基板を均一なる所定の厚さにする第2工程と、前記保護膜を除去する第3工程と、前記第1半導体基板の鏡面と、少なくとも一方の面が鏡面研磨された第2半導体基板の鏡面のうち、少なくとも一方の鏡面に絶縁膜を形成した後、当該絶縁膜を介在した状態で第1半導体基板の鏡面と第2半導体基板の鏡面とを貼り合わせて貼り合わせ基板を形成する第4工程と、前記貼り合わせ基板における第1半導体基板を加工装置のチャックテーブルに固定し、前記貼り合わせ基板における第2半導体基板を研削および鏡面研磨して該第2半導体基板を薄膜化する第5工程とを有することを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 21/304 321
, H01L 27/12
