特許

J-GLOBAL ID：200903067311250135

半導体装置用保護回路

発明者： 遠山 茂
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-333057
公開番号（公開出願番号）：特開平8-167694
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1996年06月25日
要約：

【要約】【目的】 冷却手段によって冷却して駆動される半導体装置において、静電気によってゲート電極等内部回路が破壊されるのを防ぎ、かつ外部配線数を増大させることなく正負両方の極性を有する電気信号を扱い得る保護回路を提供する。【構成】 電流・電圧特性に極性を有さず負の抵抗率温度係数を有し室温において低抵抗であり半導体装置の動作温度において絶縁性あるいは高抵抗を示すところの素子あるいは素子集合体(1)によって、入・出力端子から被保護素子に配された配線を、接地(半導体基板あるいは基準電位ウェル領域)に接続している。室温においては静電気が入・出力端子等に入っても、それは低抵抗を介して半導体基板あるいは基準電位ウェル領域に放電され、被保護素子に及ばないので、被保護素子を破壊から守ることができる。そして半導体装置の動作温度においては入・出力端子は少なくとも素子あるいは素子集合体(1)の部分では半導体基板あるいは基準電位ウェル領域から電気的に切り離されるので、正負両方の極性を有する電気信号を扱うことができる。

請求項（抜粋）：

冷却手段によって冷却して駆動される半導体装置において、電流・電圧特性に極性を有さず負の抵抗率温度係数を有し室温において低抵抗であり、半導体装置の動作温度において絶縁性あるいは高抵抗を示すところの素子あるいは素子集合体が、入・出力端子あるいはその配線と半導体基板あるいは基準電位ウェル領域との間に電気的に接続されて成ることを特徴とする半導体装置用保護回路。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 23/60 ,  H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 23/56 B