特許

J-GLOBAL ID：200903067314717590

半導体ナノ結晶の表面処理による量子効率の向上

発明者： 張 銀 珠 ,  田 信 愛 ,  成 響 淑
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 磯野 道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-262380
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101601
出願日： 2004年09月09日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】 全ての発光波長領域にて、特に、青色領域で発光する量子ドットにて適用可能であり、処理後に発光特性が変化することなく量子効率を向上させることが可能な方法を提供する。【解決手段】 化学的湿式合成法によって形成された半導体ナノ結晶を還元剤で表面処理して量子効率を向上させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体ナノ結晶を還元剤で表面処理して半導体ナノ結晶の量子効率を向上させる方法。

IPC (14件)：

H01L29/06 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C09K11/00 ,  C09K11/08 ,  C09K11/56 ,  C09K11/62 ,  C09K11/70 ,  C09K11/74 ,  C09K11/88 ,  C09K11/89 ,  H01L29/201 ,  H01L29/221 ,  H05B33/14

FI (15件)：

H01L29/06 601D ,  H01L29/06 601B ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C09K11/00 F ,  C09K11/08 D ,  C09K11/56 ,  C09K11/62 ,  C09K11/70 ,  C09K11/74 ,  C09K11/88 ,  C09K11/89 ,  H01L29/201 ,  H01L29/221 ,  H05B33/14 Z

Fターム (18件)：

3K007AB03 ,  3K007CB04 ,  3K007DB00 ,  3K007DB02 ,  3K007DB03 ,  4H001CA02 ,  4H001CA04 ,  4H001XA07 ,  4H001XA15 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA33 ,  4H001XA34 ,  4H001XA48 ,  4H001XA49 ,  4H001XA52 ,  4H001XA80

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許6、322、901号
  
• 米国特許6、207、229号
  
• 韓国特許出願第2003-49547
  

引用文献：

出願人引用 (2件)

• Highly luminescent monodisperse CdSe and CdSe/ZnS nanocrystals synthesized in a hexadecylamine-trioc
• Effect of hydrogen on the photoluminescence of Si nanocrystals embedded in a SiO2 matrix

審査官引用 (2件)

• Highly luminescent monodisperse CdSe and CdSe/ZnS nanocrystals synthesized in a hexadecylamine-trioc
• Effect of hydrogen on the photoluminescence of Si nanocrystals embedded in a SiO2 matrix