特許
J-GLOBAL ID：200903067317565154
薄膜太陽電池
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-175782
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007356
出願日： 1999年06月22日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】 電極層の凹凸表面テクスチャによる入射光の高い利用効率を維持しつつ、その電極層と光電変換層との間の界面特性が改善された高性能の薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】 薄膜太陽電池は平均表面粗さRaが50nmを超える凹凸表面テクスチャを有する第1電極層12上に順次積層された透明絶縁体層13、半導体光電変換層14、および第2電極層15を備え、透明絶縁体層13は第1電極層12の表面テクスチャにおける凹凸の最大高低差より大きな厚さを有していて半導体層14との界面において50nm未満の平均表面粗さRaを有するとともに、半導体層14を第1電極層12に接続するための複数の開口13aを含んでいる。
請求項（抜粋）：
光を散乱させるための微細な凹凸を含み平均表面粗さRaが50nmを超える表面テクスチャを有する第1電極層の前記表面テクスチャ上に、順次積層された透明絶縁体層、半導体光電変換層、および第2電極層を備え、前記透明絶縁体層は、前記第1電極層の前記表面テクスチャにおける凹凸の最大高低差より大きな厚さを有していて、前記半導体層との界面において50nm未満の平均表面粗さRaを有するとともに、前記半導体層を前記第1電極層に接続するための複数の開口を含むことを特徴とする薄膜太陽電池。
Fターム (5件)：
5F051DA20
, 5F051FA02
, 5F051FA13
, 5F051FA15
, 5F051FA19
